图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 NST847BF3T5G |
| 文档 |
Wire Bond 01/Dec/2010 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Wire Bond Change 01/Dec/2010 |
| 标准包装 | 8,000 |
| 晶体管类型 | NPN |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 45V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 600mV @ 5mA, 100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 200 @ 2mA, 5V |
| 功率 - 最大 | 290mW |
| 频率转换 | 100MHz |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | SOT-1123 |
| 供应商器件封装 | SOT-1123 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 集电极最大直流电流 | 0.1 |
| 最小直流电流增益 | 200@2mA@5V |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | SOT-1123 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大功率耗散 | 347 |
| 最大基地发射极电压 | 6 |
| Maximum Transition Frequency | 100(Min) |
| 封装 | Tape and Reel |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 45 |
| 供应商封装形式 | SOT-1123 |
| 最大集电极发射极电压 | 50 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Flat |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 100mA |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 100MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 600mV @ 5mA, 100mA |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 45V |
| 供应商设备封装 | SOT-1123 |
| 功率 - 最大 | 290mW |
| 封装/外壳 | SOT-1123 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 200 @ 2mA, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | NST847BF3T5GOSCT |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 6 V |
| 最大功率耗散 | 347 mW |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 200 at 2 mA at 5 V |
| 直流电流增益hFE最大值 | 200 at 2 mA at 5 V |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 45 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 集电极最大直流电流 | 0.1 A |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 系列 | NST847BF3T5G |
| Pd - Power Dissipation | 347 mW |
| 长度 | 0.6 mm |
| 身高 | 0.37 mm |
| 品牌 | ON Semiconductor |
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